Разработка лавинного фотодиода на основе 4Н политипа карбида кремния
2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств | 2028
Формирование активных областей карбид-кремниевых полупроводниковых приборов силовой электроники
2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств | 2028
Интеллектуальный силовой карбидокремниевый функциональный модуль
2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств | 2026
Физико-технологические процессы сборки карбидокремниевых функциональных модулей для экстремальных режимов работы
2.2.3 Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники | 2026
