Технология очистки поверхностей широкозонных полупроводников и диэлектриков на основе источника нейтральных частиц с мультикасповой магнитной системой за счет эффективной нейтрализации ионов и однородности выходного потока обеспечивает высокое качество очистки, исключает образование поверхностного потенциала и позволяет создавать на очищенных поверхностях функциональные покрытия с высоким уровнем адгезии и качественно сформированной структурой.
Производители изделий электроники, приборостроения и машиностроения, разработчики и производители ионно-плазменного технологического оборудования
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Возможность очистки поверхностей | Поверхности практически любых материалов, включая широкозонные полупроводники и диэлектрики |
| Площадь одновременно очищаемой области поверхности | не менее 100 см2 |
| Продолжительность очистки поверхности | зависит от типа и степени загрязнений, но не превышает 1 ч для сложных случаев |
| Корпус устройства | в форме цилиндра диаметром 200 мм и высотой 250 мм |
