Ресурсный центр «Физика твердого тела и материаловедение для радиоэлектронных и телекоммуникационных систем»

Ресурсный центр создан в 2010 г. в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» в рамках реализации Постановления Правительства РФ №219.

Оборудование Руководитель Коллектив Сотрудничество Публикации Контакты

Руководитель – д.ф.-м.н., проф. Василий Иванович Зубков. Основные направления научной работы: электрофизическая диагностика полупроводниковых материалов и структур. Реализованный в РЦ ФТТ комплекс взаимодополняющих методик исследования морфологии поверхности эпитаксиальных структур, а также электрофизических и оптических характеристик в диапазоне температур от криогенных до 200°C позволяет решать широкий круг задач в области физики и технологии наноразмерных гетероструктур.

В состав РЦ ФТТ входят кандидаты физико-математических наук, инженеры, аспиранты и магистранты. Исследуемые материалы и структуры микро, нано- и оптоэлектроники:

• гетеропереходы (AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs),
• квантовые ямы (InGaAs/GaAs, InGaN/GaN),
• квантовые точки (InGaAs/GaAs), смачивающие слои КТ (InAs/GaAs),
• дельта-слои, полупроводниковый алмаз.

Приборы: лазеры; светодиоды; фотоприемники; HEMT; HJT.

Коллектив

Яковлев Георгий Евгеньевич, к.ф.-м.н., доцент СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

Г.Е. Яковлев является лауреатом стипендии Ученого Совета СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Правительства РФ и Президента РФ; являлся призером V Ежегодной очной научно-технической конференции молодых специалистов «Техника и технология современной фотоэлектроники» и Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, победителем конкурса по Программе «УМНИК», трехкратным победителем конкурса научных достижений студентов и аспирантов СПбГЭТУ «ЛЭТИ», двухкратным победителем конкурса научно-исследовательских проектов СПбГЭТУ «ЛЭТИ», участником Всероссийского конкурса «Лидеры России». В 2017 г. проходил стажировку в Датском техническом университете (DTU) на кафедре квантовой физики и информационных технологий (QPIT). В октябре 2018 г. Г.Е. Яковлев защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. Содержанием диссертационной работы, в частности, было развитие теории и практики электрохимического вольт-фарадного профилирования для прецизионного определения концентрации основных носителей заряда в современных многослойных гетероструктурах для СВЧ- и фотоэлектроники.

Проводил и проводит занятия по курсам «Компьютерные технологии и моделирование в электронике», «Физика полупроводников», "Физика конденсированного состояния», «Квантовая механика и статистическая физика», «Методы диагностики структур наноэлектроники и фотоники». Осуществляет научное руководство студентами бакалавриата и магистратуры.

WoS ResearcherID: O-8906-2015
Scopus AuthorID: 57188697042
ORCID: 0000-0002-7182-7561.

Соломникова Анна Васильевна, инженер СПбГЭТУ

Проводит измерения на автоматизированном комплексе спектроскопии адмиттанса и на сканирующем зондовом микроскопе, руководит научной работой студентов-бакалавров и магистрантов.

Проводила и проводит практические занятия по курсам «Физика конденсированного состояния», «Методы диагностики структур наноэлектроники и фотоники».

WoS ResearcherID E-5059-2019
Scopus AuthorID 8325744400
ORCID 0000-0001-5677-3609.

Сотрудники РЦФТТ участвовали в выполнении следующих научных работ:

1. «Разработка и исследование характеристик электронных приборов на основе монокристаллического алмаза». Х/д № Ф-248 между ИПФ РАН и СПбГЭТУ в рамках выполнения проекта по Постановлению 220 Правительства РФ «Полупроводниковый CVD алмаз для мощных и высокочастотных электронных приборов» (2014-2016 гг.).
2. «Разработка технологических процессов выращивания светоизлучающих гетероструктур в системе AlInGaN и изготовления светодиодных чипов для серийного производства мощных светодиодов нового поколения. Разработка диагностической базы и технологического программного обеспечения» комплексный проект по договору №13.G25.31.0040 от 07.09.2010 между ЗАО «Светлана-ОЭ» и Минобрнауки РФ по Постановлению Правительства РФ № 218 (2010-2012 гг.)
3. Сотрудники РЦФТТ участвовали в выполнении следующих научных работ:3. "Создание комплексной системы электрофизической и оптической диагностики наноструктур для голубых и белых светодиодов как компонентной базы энергоэффективных световых устройств" Мероприятие 1.1 ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 г. (2012-2013 гг.)
4. «Исследование подложек и эпитаксиальных структур арсенида индия методом фурье-спектроскопии с целью оптимизации технологии изготовления ИК ФПУ" х/д с ОАО "ЦНИИ "Электрон" (2012-2014 гг.)»
5. «Диагностика твердотельных фотоэлектронных структур на основе кремния и соединений А3В5» Х/д с ОАО «Центральный научно-исследовательский институт «Электрон» (2013-2014 гг.).
6. «Создание и исследование структур, содержащих нанослои и массивы квантовых точек, как основы высокоэффективных оптических излучателей». Договор ГЗП/РЦФТТ-1 на 2013-2015 гг.
7. «Проведение реинжиниринга датчиков с S-образной вольтамперной характеристикой». Хоз/договор с Всероссийским научно-исследовательским институтом экспериментальной физики ФГУП "РФЯЦ–ВНИИЭФ"». 2017 г.

Контакты